以光學紫外曝光為例，首先將硅片定位在光學系統的聚焦范圍內，日本HD三坐標諧波FHA-32C-50-E250-C硅片的對準標記與掩模版上相匹配的標記對準后，紫外光通過光學系統和掩模版圖形進行投影。掩模版圖形若以亮暗的特征出現在硅片上，這樣光刻膠就曝光了。
。該曝光系統包括一個紫外光源、一個光學系統、一塊由芯片圖形組成的投影掩模版、一個對準系統和涂過光刻膠的硅片。硅片放在可以實現X、Y、Z、q方向運動的承片臺上，由對準激光系統實現承日本HD三坐標諧波FHA-32C-50-E250-C片臺上的硅片與掩模版之間的對準，由光源系統、投影掩模版、投影透鏡實現硅片上光刻膠的曝光。曝光過程包括：聚焦、對準、曝光、步進和重復以上過程。
光學曝光技術經歷了不同的發展階段。按照掩模版與硅片的位置關系區分日本HD三坐標諧波FHA-32C-50-E250-C，從最初的接觸式曝光，發展到接近式曝光，直到現在的投影式曝光。曝光光源主要使用紫外光、深紫外光、極紫外光，現今最常用的是：汞燈和準分子聚光光源。
